● 高电压达2000V（最大扩展至8kV）
● 大电流达2000A（可扩展至6000A）
● 低寄生电感设计，＜20nH寄生电感
● 安全防护机制，集成防爆、过流/过压保护
● 全功能测试覆盖，支持DPT、RBSOA、SCSOA、Qg等参数
● 自动化与智能化，负载电感自动切换
● 温度范围广，可选高温模块(常温～200℃)或热流仪(-40℃～200℃)

● 兼容多种封装，可根据测试需求定制夹具

测试项目

●  开通特性：开通延时时间td(on)、开通上升时间tr、开通时间ton、开通能量损耗E(on)、开通电压斜率dv/dt、开通电流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
●  关断特性：关断延时时间td(off)、关断上升时间tf、关断时间toff、关断能量损耗E(off)、关断电压斜率dv/dt、  关断电流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
●  反向恢复特性：反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr、反向恢复能量Err、最大反向恢复电流Irrm、反向恢复电压斜率dv/dt、反向恢复电流斜率di/dt、反向恢复电流特性Id vs.t
●  短路特性：短路时间Tsc、短路饱和电流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc    
●  栅极电荷：总栅极电荷Qg、阈值栅极电荷Qgs(th)、栅源电荷Qgs、栅漏电荷Qgd、栅极申荷曲线Vgs  vs.t
●  反偏安全工作区：关断电压尖峰VCE—peak、关断电流尖峰lc、Vce vs.t、lc vs.t

测试夹具

针对市面上不同封装类型的功率半导体，如IGBT、SiC、MOS等产品，普赛斯提供整套测试夹具解决方案，可用于T0单管，半桥模组等产品的测试

软件界面

PMDT功率器件动态系统不同规格配置型号参考：

*以上规格如有更新，恕不另行通知。