以SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)为代表的功率半导体器件被测参数可分为两大类：静态特性测试和动态特性测试。静态特性测试主要是表征器件本征特性指标，如击穿电压、漏电、跨导、导通内阻等；动态参数是指器件开关过程中的相关参数，如开关特性参数、体二极管反向恢复特性参数及栅极电荷特性参数等，主要采用双脉冲测试进行。

武汉普赛斯仪表有限公司提供二极管/三极管/场效应管/大功率激光器等多种半导体分立器件电性能测试解决方案，可进行工艺设计/材料评估/产品建模性能验证、可靠性分析、生产过程管控、晶圆验收测试/模具分类、封装测试、失效分析，为半导体分立器件的研发、生产和验证提供一站式解决方案。

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