盛夏已过，初秋开场
八月的高温依旧迟迟不散
生活也免不了被繁杂的工作封印
高压大功率(6500V/3000A)IGBT测试难？
伴随着项目需求急、任务重、要求高
工程师们压力山大...
不如先Fun松Fun松~
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搞懂这几个问题，轻松解决测试难题！
1、IGBT从硅(Si)到碳化硅(SiC)，测试条件向高压大功率转变
SiC绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，饱和电子漂移速率是Si的2倍；与600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能够实现“高耐压”、“低导通电阻”、“高频”这三个特性。因此，高压大功率的IGBT单管、半桥模块，测试条件需要达到6500V/3000A。
2、扫描模式对阈值电压漂移的影响
由于SiC与Si特性的不同，SiC MOSFET的阈值电压具有不稳定性，在器件测试过程中阈值电压会有明显漂移，导致其电性能测试以及高温栅偏试验后的电测试结果严重依赖于测试条件。因此阈值电压的准确测试，现行可靠性测试方法有：
3、脉宽和温度对导通电阻的影响
导通电阻 RDSon为影响器件工作时导通损耗的一重要特征参数，其数值会随 VGS 以及T的变化而改变。
4、FIMV、FVMI 对测试的影响
限流保护能够将电压或者电流限制在SOA区域，避免器件损坏或炸管。
测试条件：800V 恒压 10μA 限流
测试条件：100μA 恒流1000V限压
5、等效电阻对导通压降测试的影响
• 开尔文（Kelvin）电流检测电路将提高导通电压测量精度；
• SOCKET与PIN接触电阻、测试引线导通电阻。
6、等效电感对导通压降测试的影响
• 电感过大，电流波形振荡；
• 线路等效电感、DUT等效电感。
7、线路等效电容对测试的影响
• 普通同轴电缆的等效电容与DUT并联，SMU测试时上升以及稳定时间长；
• 三同轴电缆等效电容几乎为0。
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