公司新闻 公司新闻

公司新闻

专注于半导体电性能测试

当前位置:首页 > 新闻中心 > 公司新闻

普赛斯仪表受邀出席第三届功率半导体IGBT/SiC产业论坛并做主题演讲

来源:admin 时间:2024-07-05 17:07 浏览量:88

        新能源汽车渗透率即将达50%,加上风光电领域对功率模块的需求越来越多,功率模块备受关注。2024年7月5日,艾邦第三届功率半导体IGBT/SiC产业论坛在苏州召开。会议汇聚行业精英共谋发展之策,从新能源汽车电驱与电控行业、光储及逆变器行业、化合物半导体材料行业、功率半导体行业、封装与测试行业等不同产业链环节出发,探寻不同突破路径,促进产业的创新与可持续发展。

image.png

        作为国内率先实现高精度数字源表(SMU)产业化的半导体测试装备优质供应商,普赛斯仪表副总经理王承博士受邀出席并发表《SiC功率半导体模块测试挑战及应对》主题演讲。

image.png

1、随着半导体技术的持续进步,制程工艺的不断提升,对半导体器件的测试和验证工作日趋关键。

2、随着行业发展,厂家对于测试的需求由原先的CP+FT模式扩展至CP+KGD test +DBC test+FT,甚至包括SLT测试等。

3、如何精确测量功率器件在高流/高压条件下的I-V曲线或其他静态特性,变得尤为重要。


image.pngimage.png

image.png


        会上,普赛斯仪表副总经理王承博士阐述了如何准确可靠地实现SiC功率器件的测试方案,以新能源领域车规级功率器件参数测试为切入点,分享了在新能源领域功率器件成套解决方案等方面的关键举措。本场演讲重点介绍了普赛斯仪表实验室、高低温、产线半自动/全自动等功率半导体静态参数测试解决方案,广泛适用于从实验室到小批量、大批量产线的全方位应用,帮助国产功率半导体厂商加快研发测试以及批量化生产进程。


        普赛斯功率器件静态参数测试系统,是武汉普赛斯经过精心设计与打造的高精密电压/电流测试分析系统。该系统不仅提供IV、CV、跨导等多元化的测试功能,还具备高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。其设计初衷在于全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求,确保测量效率、一致性与可靠性的优异表现。

image.png

PMST功率器件静态参数测试系统


image.png

PSS TEST静态高低温半自动测试系统


image.png

PMST-MP 静态参数半自动化测试系统


image.png

PMST-AP 静态参数全自动化测试系统


大电流输出响应快,无过冲

        自主研发的高效能脉冲式大电流源及高压源,其输出建立过程响应迅速,且无过冲现象。在测试环节,大电流的典型上升时间仅为15μs,脉冲宽度可在50~500μs之间灵活调整。采用此种脉冲大电流测试方法,能够显著降低因器件自身发热所引发的误差,确保测试结果的精确性与可靠性。

image.png

高压测试支持恒压限流,恒流限压模式

        自主研发的高性能高压源,其输出建立与断开反应迅速,且无过冲现象。在进行击穿电压测试时,可灵活设定电流限制或电压限值,以确保设备不因过压或过流而受损,有效保护器件的安全性和稳定性。

image.png

        普赛斯仪表作为半导体电性能测试领域的权威解决方案供应商,始终秉持创新技术与匠心精神的融合,深耕于功率半导体市场。




注册观看

  • * 我们会谨慎对待您的个人信息,保护您的隐私安全!

为了方便我们更好地为您服务,请留下您的宝贵信息

  • * 我们会谨慎对待您的个人信息,保护您的隐私安全! 稍后我们将安排销售顾问与您取得联系。

  • 我已阅读并同意用户隐私政策

欢迎来到普赛斯仪表资料下载中心

只需1分钟,填写后即可获得:
· 通过电子邮件获取正式的PDF资料
· 专业的技术支持团队VIP一对一服务
· 帮助您构建自定义的高效率、高精度、高安全性解决方案
· 及时获取最新行业资讯及产品动态,快速访问进阶产品内容

  • * 我们会谨慎对待您的个人信息,保护您的隐私安全! 稍后我们将安排销售顾问与您取得联系。

  • 我已阅读并同意用户隐私政策