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MOSFET(金属―氧化物半导体场效应晶体管)是一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中。MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳纳米管等材料制作,是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压VGS(th)、漏电流lGSS、lDSS、击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。

受器件结构本身的影响,实验室科研工作者或者测试工程师常见会碰到以下测试难题:

(1)由于MOSFET是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试,而且MOSFET动态电流范围大,测试时需要量程范围广,测量模块的量程需要可以自动切换;

(2)栅氧的漏电与栅氧质量关系极大,漏电增加到一定程度即可构成击穿,导致器件失效,因此MOSFET的漏电流越小越好,需要高精度的设备进行测试;

(3)随着MOSFET特征尺寸越来越小,功率越来越大,自加热效应成为影响其可靠性的重要因素,而脉冲测试可以减少自加热效应,利用脉冲模式进行MOSFET的l-V测试可以准确评估、表征其特性;

(4)MOSFET的电容测试非常重要,且与其在高频应用有密切关系。不同频率下C-V曲线不同,需要进行多频率、多电压下的C-V测试,表征MOSFET的电容特性。

通过本期云课堂您可以了解到：

●  MOS管的基本结构及分类

●  MOS管的输出、转移特性和极限参数、静态参数解析

●  不同功率规格的MOS管该如何进行静态参数测试？

●  输入/输出特性曲线、阈值电压VGS(th)、漏电流lGSS、lDSS、击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等参数测试方案介绍

●  基于“五合一”高精度数字源表(SMU)的MOS管电性能测试实操演示

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