●   单工站MOS DC IV参数测试UPH高达9K(注：单工站，7个DCIV测试项)

●   单台主机支持3工站IV+CV或4工站IV并行测

●   专用于Si/SiCMOSFET、二极管、三极管、IGBT等KGD、DBC及FT测试

●   采用PXIe板卡架构，可根据需求灵活搭配板卡实现精准把控测试成本

●   单卡高达2G局部通信总线带宽支持PXIe，TrigBus同步触发支持高达8线局部总线同步

●   6U标准板卡兼容3U板卡

●   提供单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出能力

●   支持扩展高压、高流模组，蕞高可达3500V/2000A

●   内置精密测量电路,实现pA级和uΩ级的精准测量

●   CV测试中速模式下基本精度高达0.05%

系统组成

主要包括测试主机及板卡，测试夹具，工控机、上位机软件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置高压模块，低压模块，高流模块，电容模块、

高压采集卡、DIO卡等。  配合探针台Prober、分选机Handler可以实现KGD裸芯片，DBC测试，FT测试等。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，

设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，支持各类格式。

测试项目

● 二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、正向电流IF、电容值Cd

● 三极管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、I_CEO、I_EBO、V_CESAT、V_BESAT、增益hFE、C_obo、C_ibo

● Si MOS/IGBT/SiCMOS/GaN FET：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/V_GE(th)、I_GSS/I_GES、栅极内阻R_g、

输入电容C_iss/C_ies、输出电容C_oss/C_oes、反向传输电容C_rss/C_res、跨导g_fs

ATE功率器件静态参数测试机典型配置型号参考：

*以上规格如有更新，恕不另行通知。