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半导体功率器件C-V特性测试系统

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电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数,尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数,MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线(简称C-V特性),C-V 曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。


产品特点

●    频率范围宽:频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调

●    高精度、大动态范围:提供0V~3500V偏压范围,精度0.1%

●    内置CV测试:内置自动化CV测试软件,包含C-V(电容- 电压),C-T(电容- 时间),C-F(电容 - 频率)等多项测试测试功能

●    兼容IV测试:同时支持击穿特性以及漏电流特性测试

●    实时曲线绘制:软件界面直观展示项目测试数据及曲线,便于监控

●    扩展性强:系统采用模块化设计,可根据需求灵活搭配


软件界面及功能

image.png

CV测试界面


image.png

CV曲线图


产品选型

模块VGS范围IGSS/IGEVDS范围IDSS/ICES源测精度
SMU0 - ±30V(选配)≥10pA(选配)0-±300

≥10pA

0.03%

0-±1200V≥1nA0.1%
0-±2200V≥1nA0.1%
0-±3500V≥1nA0.1%
模块测试频率频率输出精确度基本准确度AC测试信号准位DC测试信号准位输出阻抗量测范围
LCR10Hz-1MHz±0.01%±0.05%

10mV至2Vrms 

(1m Vrms 解析度)

10mV至2V

(1m Vrms 解析度)

100Ω

|Z|, R, X 

0.001mΩ–99.999MΩ

Cs、Cp 

0.01pF – 9.9999F

0.00001-9.999

DCR 

0.001mΩ–9.999MΩ

θ 

-180° -+180°

|Y|, G, B 

0.1nS–99.999S

Ls Lp 

0.1nH–9.999kH

0.1-9999.9

Δ%  

-9999%-999%



*以上规格如有更新,恕不另行通知。

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