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半导体功率器件C-V特性测试系统

电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V 曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。

产品特点

● 频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调

● 高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%

● 内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容- 电压），C-T（电容- 时间），C-F（电容 - 频率）等多项测试测试功能

● 兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试

● 实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控

● 扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配

软件界面及功能

CV测试界面

CV曲线图

产品选型

模块	VGS范围	IGSS/IGE	VDS范围	IDSS/ICES	源测精度
SMU	0 - ±30V(选配)	≥10pA(选配)	0-±300	≥10pA	0.03%
			0-±1200V	≥1nA	0.1%
			0-±2200V	≥1nA	0.1%
			0-±3500V	≥1nA	0.1%

模块	测试频率	频率输出精确度	基本准确度	AC测试信号准位	DC测试信号准位	输出阻抗	量测范围
LCR	10Hz-1MHz	±0.01%	±0.05%	10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度)	10mV至2V (1m Vrms 解析度)	100Ω	\|Z\|, R, X 0.001mΩ–99.999MΩ Cs、Cp 0.01pF – 9.9999F D 0.00001-9.999 DCR 0.001mΩ–9.999MΩ θ -180° -+180° \|Y\|, G, B 0.1nS–99.999S Ls Lp 0.1nH–9.999kH Q 0.1-9999.9 Δ% -9999%-999%

模块

测试频率

频率输出精确度

基本准确度

AC测试信号准位

DC测试信号准位

输出阻抗

量测范围

LCR

10Hz-1MHz

±0.01%

±0.05%