2023
MOS管的主要电性能参数有输入/输出特性曲线、阈值电压VGS(th)、漏电流lGSS、lDSS、击穿...
2023
普赛斯仪表推出SXXB系列高精度数字源表，0.03%测量精度，3A直流电流，为半导体行业提供...
2022
2022年12月28日上午，我司与广电计量检测（武汉）有限公司（以下简称：广电计量）共建...
2022
CP系列脉冲恒压源是武汉普赛斯仪表推出的窄脉宽、高精度、宽量程插卡式脉冲恒压源。设...
2022
随着III-V族新型半导体材料的快速发展与创新应用，针对氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和其...
2022
电流电压（I-V）测试和电容电压（C-V）测试是表征二极管性能的主要参数，通过本期云课...
2022
上篇我们讲了IGBT的基础知识，以及IGBT需要进行测试的参数，这篇我们来讲一讲该如何进...
2022
IGBT 模块作为电能变换与控制的核心组件之一，被称为电力电子装置的“CPU”，高效节能...
2022
集成电路产业是信息技术产业的核心﹐是支撑经济社会发民和保障国家安全的战略性、基础...
2022
第二十次全国代表大会报告中，多次提及碳达峰碳中和、可持续发展、绿色发展等关键词。...
扫一扫
关注微信公众号
Copyright 2022 武汉普赛斯仪表有限公司. All Rights Reserved. 备案号：鄂ICP备19030539号-1
在线
咨询
扫码
下载
